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零件图片（仅供参考）
AO7413_030
规格参数

AO7413_030是一款采用SC-70-3封装的P沟道功率MOSFET，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心特性在于20V的漏源电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Id）能力，为低电压应用提供了可靠的开关解决方案。

该器件的优势在于优异的导通性能与快速的开关响应。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下低至113毫欧（@1.4A），有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大4.5nC @4.5V）和输入电容确保了高效的开关操作，简化了驱动电路设计。其1.2V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）使其能很好地兼容现代低压逻辑电平，适用于需要高效功率管理和负载切换的紧凑型电子设备。

  • 制造商产品型号：AO7413_030
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：113 毫欧 @ 1.4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.5nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SC-70-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO7413_030
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO7413_030的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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