

AO8807是AOS推出的一款集成双P沟道功率MOSFET阵列,采用8-TSSOP紧凑封装,专为空间受限的便携式设备设计。其核心优势在于逻辑电平门驱动,支持低至4.5V的栅极电压直接驱动,简化了系统接口设计。
该器件在4.5V Vgs条件下提供仅20毫欧的低导通电阻(RDS(on))和23nC的低栅极电荷(Qg),确保了高效的功率传输与快速的开关性能,能有效降低导通与开关损耗。其额定参数为12V漏源电压与6.5A连续漏极电流,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于要求高效率与可靠性的低压电源管理和开关应用。



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