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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO8807是AOS推出的一款集成双P沟道功率MOSFET阵列，采用8-TSSOP紧凑封装，专为空间受限的便携式设备设计。其核心优势在于逻辑电平门驱动，支持低至4.5V的栅极电压直接驱动，简化了系统接口设计。
该器件在4.5V Vgs条件下提供仅20毫欧的低导通电阻（RDS(on)）和23nC的低栅极电荷（Qg），确保了高效的功率传输与快速的开关性能，能有效降低导通与开关损耗。其额定参数为12V漏源电压与6.5A连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高效率与可靠性的低压电源管理和开关应用。
制造商产品型号：AO8807制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.5A 8TSSOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 6.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 6V功率-最大值：1.4W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）AO8807，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO8807
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET 2P-CH 12V 6.5A 8TSSOP
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
点击此处查询AO8807的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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