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AOH3110是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和1A的连续漏极电流（Id）能力，为中小功率高压开关应用提供了坚实的基础。

其电气参数设计注重效率与易用性，最大导通电阻（Rds(on)）仅为700毫欧（@10V Vgs, 900mA），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大100pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，兼容常见的逻辑电平。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步增强了其在各种环境下的适用性。

• 型号:AOH3110
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-223-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-4
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• AOH3110，AOS产品一站式供应商。