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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOH3110是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和1A的连续漏极电流（Id）能力，为中小功率高压开关应用提供了坚实的基础。
其电气参数设计注重效率与易用性，最大导通电阻（Rds(on)）仅为700毫欧（@10V Vgs, 900mA），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大100pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，兼容常见的逻辑电平。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）进一步增强了其在各种环境下的适用性。
基本参数：
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