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零件图片（仅供参考）
AO4441
规格参数

AO4441是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效率功率开关应用而优化。其核心优势在于60V的漏源电压额定值和低至100毫欧（@10V Vgs, 4A）的导通电阻，这有效降低了导通状态下的功率损耗。

该器件具备低栅极电荷（典型值20nC）和良好的开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统在较高频率下的工作效率。其4A的连续电流能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在多种负载与环境条件下的可靠运行。这些特性使其成为DC-DC转换、电源管理和负载开关等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AO4441
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1120pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4441
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4441的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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