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AON6270是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效功率管理设计。其核心优势在于75V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（典型值3.9mΩ @ 10V, 20A），并具备高达85A（Tc）的连续电流处理能力，能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和强大的功率耗散能力（最大83W @ Tc），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AON6270
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 37.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6270，AOS产品一站式供应商。