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零件图片(仅供参考)
AOD516_002
规格参数

AOD516_002是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss),以及在壳温下高达46A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻,典型值仅为5毫欧(@10V,20A),这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为33nC,有助于实现快速的开关切换,提升系统在开关电源等应用中的整体效率。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号:AOD516_002
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1229pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD516_002
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD516_002的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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