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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT416是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，隶属于SDMOS系列。其核心规格包括100V的漏源电压（Vdss），以及在管壳温度（Tc）条件下高达42A的连续漏极电流处理能力，展现出强大的功率承载潜力。
该器件的关键性能优势在于其低导通电阻与优化的开关特性。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为37毫欧 @ 20A，能有效降低传导损耗。同时，最大23nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统整体效率。其设计适用于要求高效率与可靠性的中功率开关应用。
制造商产品型号：AOT416制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SDMOS零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Ta），42A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.92W（Ta），150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220AOT416，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOT416
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOT416的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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