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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6290是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DFN-5x6封装，专为高效率功率转换应用而设计。其核心优势在于100V的漏源电压额定值和极低的4.6毫欧导通电阻（@10V Vgs, 20A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。
此外，该器件具备高达28A（Ta）的连续电流能力和优化的90nC栅极电荷，确保了快速开关性能和较低的驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与表面贴装形式，使其能够可靠地应用于空间受限且对热管理要求较高的高密度电源设计中。
基本参数：
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