
我们为全球各个行业提供AOS AOL1202及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOL1202 是一款采用 UltraSO-8 封装的 N 沟道功率 MOSFET,由 AOS 公司制造。其核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关特性组合,在 10V Vgs 驱动下,Rds(on) 典型值低至 4.2 毫欧,同时栅极电荷(Qg)最大值仅为 33nC,这共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗与低开关损耗,提升整体电源转换效率。
该器件额定漏源电压为 30V,具备强大的电流处理能力,在管壳温度(Tc)下连续漏极电流可达 54A。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C)和高达 58W(Tc)的功率耗散能力,使其能够适应严苛的工作环境并承载较高的功率密度。这些特性使其成为同步整流、DC-DC 转换及电机驱动等应用的理想选择。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






