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AO6409_102是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心优势在于优异的电气性能组合：额定20V漏源电压和5.5A连续漏极电流，配合低至45毫欧的导通电阻（@5A, 4.5V），能有效降低导通损耗。

该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷仅为17.2nC，且驱动电压兼容低至1.8V的逻辑电平，便于直接驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于负载开关、电源管理和电池保护等对空间和效率有严格要求的应用。

• 制造商产品型号：AO6409_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• AO6409_102，AOS产品一站式供应商。