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AOI418是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（8mΩ @20A, 10V）和较低的栅极电荷（24nC @10V），这共同确保了器件在导通状态和开关瞬态均能实现较低的功率损耗，从而提升系统整体能效。

该器件额定电压30V，在壳温（Tc）条件下可支持高达36A的连续电流和50W的功率耗散，展现出强大的电流处理与散热能力。其宽工作结温范围（-55°C至175°C）和与标准逻辑电平兼容的驱动特性（Vgs(th)≤2.5V），使其能够适应从消费电子到工业控制等多种要求可靠性和性能的应用环境。

• 型号:AOI418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI418，AOS产品一站式供应商。