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AO4706是AOS公司SRFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于在30V的漏源电压下工作，并能处理高达16.5A的连续电流，为中等功率应用提供了坚实的电流承载基础。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为6.8毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗和温升。同时，其优化的栅极电荷（77nC @ 10V）有助于实现高效的开关性能，减少开关损耗。器件集成了体二极管，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在各类电源转换和电机控制场景中的可靠性与适用性。

• 型号:AO4706
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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