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零件图片（仅供参考）
AOD3N60
规格参数

AOD3N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心优势在于600V的高漏源电压额定值，能够满足离线式电源应用的高压需求，同时3.5欧姆的低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了能效。

该器件具备2.5A的连续漏极电流能力，并拥有低至12nC的栅极电荷和370pF的输入电容，这有利于实现快速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-50°C至150°C，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性，适用于适配器、充电器及LED驱动等中小功率开关电源设计。

  • 制造商产品型号：AOD3N60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：370pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：56.8W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD3N60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD3N60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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