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AOD452AL_008 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其核心电气特性包括25V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达55A的连续漏极电流处理能力，为低压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的开关性能与导通特性。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至8毫欧（@30A），有效降低了导通损耗。同时，26nC（@10V）的最大栅极电荷确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源的转换效率和工作频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了在严苛环境下的可靠运行。

• 制造商产品型号：AOD452AL_008
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 55A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：55A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1450pF @ 12.5V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252
• AOD452AL_008，AOS产品一站式供应商。