AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4812L_101是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。该器件专为高效率、高密度功率管理应用而设计，其核心优势在于每个通道均具备30V的漏源电压和6A的连续电流能力。
其关键技术参数包括在10V Vgs下仅30毫欧的最大导通电阻，以及低至6.3nC的栅极电荷。这些特性共同确保了极低的传导损耗和出色的开关性能，适用于高频开关电源和电机驱动等对效率和速度有严格要求的场合。
基本参数：
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