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AO4812L_101是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。该器件专为高效率、高密度功率管理应用而设计，其核心优势在于每个通道均具备30V的漏源电压和6A的连续电流能力。

其关键技术参数包括在10V Vgs下仅30毫欧的最大导通电阻，以及低至6.3nC的栅极电荷。这些特性共同确保了极低的传导损耗和出色的开关性能，适用于高频开关电源和电机驱动等对效率和速度有严格要求的场合。

• 型号:AO4812L_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4812L_101，AOS产品一站式供应商。