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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT12N65 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，专为高压开关应用而设计。其核心电气参数包括 650V 的漏源电压额定值和 12A 的连续漏极电流能力，为系统提供了坚实的电压与电流处理基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态与静态性能。其导通电阻在 10V Vgs、6A Id 条件下典型值仅为 720 毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大 48nC 的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，提升转换效率。这些特性使其成为构建高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。
基本参数：
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