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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB2502L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括150V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达106A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高功率应用场景。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为10.7毫欧，能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现高效率的高频开关操作。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备277W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 环境下的可靠性与耐久性。
基本参数：
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