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AOB2502L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括150V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达106A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高功率应用场景。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为10.7毫欧，能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现高效率的高频开关操作。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备277W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 环境下的可靠性与耐久性。

• 型号:AOB2502L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 106A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):106A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3010 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB2502L，AOS产品一站式供应商。