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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF25S65 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，隶属于其 aMOS 产品系列。该器件采用 TO-220-3F 通孔封装，核心额定参数为 650V 漏源电压（Vdss）和 25A 连续漏极电流（Id），专为高压大电流开关应用而设计。
其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少传导损耗；同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了较低的开关损耗，有利于提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等功率转换电路中高压侧开关的理想选择。
基本参数：
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