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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6404是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为2.2mΩ，配合高达85A（Tc）的连续漏极电流能力，能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。
该器件具备30V的漏源击穿电压，栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）和良好的热性能（83W @ Tc），确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高端负载开关等应用的可靠选择。
基本参数：
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