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AOW418是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心优势在于100V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（10毫欧 @ 10V, 20A），并具备高达105A（Tc）的峰值电流处理能力，能显著降低导通损耗并提升系统功率密度。

此外，其优化的栅极电荷（83nC @ 10V）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，而宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）则确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等中高功率应用的理想选择。

• 型号:AOW418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW418，AOS产品一站式供应商。