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AOD518_050是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心电气参数针对低压、大电流开关应用进行了优化，漏源电压（Vdss）为30V，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（Id）可达54A。

该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗与快速的开关特性。其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻（Rds(On)）最大值仅为8毫欧，能显著降低功率传导损耗。同时，最大22.5nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现高效率的高速开关，减少驱动损耗并简化电路设计。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD518_050
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/54A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），54A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD518_050，AOS产品一站式供应商。