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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF298L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括100V的漏源击穿电压（Vdss），以及在10V Vgs驱动下低至14.5毫欧（@20A）的导通电阻，这有效降低了导通状态下的功率损耗。
该器件具备良好的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）为27nC，有助于实现快速的开关切换。在散热条件允许下（Tc），其连续漏极电流处理能力可达33A，最大功率耗散为33W，适用于要求一定功率密度的应用场景。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）也保证了在恶劣温度环境下的稳定运行。
基本参数：
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