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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6518是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（低至1.75毫欧 @10V, 20A）与高电流处理能力（连续漏极电流Tc条件下达85A），这显著降低了导通损耗，提升了系统整体效率。
该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷（Qg）最大值仅为75nC，有助于实现快速开关并减少开关损耗，适用于高频工作环境。其30V的漏源电压和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在多种严苛应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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