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AO4449_DELTA 是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。该器件核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡，其最大导通电阻低至34毫欧（@10V，7A），同时栅极电荷最大值仅为16nC，这有助于在应用中实现更低的传导损耗和更高的开关效率。

该MOSFET的额定电压和电流分别为30V和7A，栅极阈值电压适合标准逻辑电平驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其成为低压、中电流功率切换应用的可靠选择，尤其适用于空间受限且对效率有较高要求的场景。

• 制造商产品型号：AO4449_DELTA
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4449_DELTA，AOS产品一站式供应商。