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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR21357是一款30V耐压的P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（7.8mΩ @ 10V, 20A）与栅极电荷（70nC @ 10V），这共同确保了在高电流开关应用中实现最低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。
该器件在25°C环境温度下可连续通过21A电流，并具备34A（Tc）的强电流处理能力。其宽泛的栅极驱动电压兼容性（Vgs(max)=±25V）与高达30W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。
基本参数：
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