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AOB4184是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）封装，专为高电流、高效率的开关应用而优化。其核心电气参数包括40V的漏源电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下高达50A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为10毫欧，配合最大值仅35nC的低栅极电荷（Qg @ 10V），共同确保了极低的导通与开关损耗，从而显著提升系统能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和强大的功率耗散能力（Tc下50W）进一步保障了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:AOB4184
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB4184，AOS产品一站式供应商。