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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6514是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能电源管理应用而设计。其核心参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下达30A的连续漏极电流能力，确保了强大的功率处理性能。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为5毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至22.5nC。这种低Rds(On)与低Qg的特性组合，能显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的各类环境。
基本参数：
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