AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AON6970及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6970是AOS公司推出的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N通道MOSFET，构成半桥结构，漏源电压（Vdss）为30V，具备强大的电流处理能力，在25°C下连续漏极电流（Id）分别可达24A和42A。
其核心优势在于极低的导通电阻，在20A，10V条件下最大值仅为5.4毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，2.3V的最大栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电路驱动。优化的栅极电荷（最大23nC @ 10V）和输入电容参数支持高效的开关性能。该芯片工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于高密度电源转换、同步整流及电机驱动等应用场景。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询