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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF9N70是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括700V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V Vgs下仅1.2欧姆的最大导通电阻（Rds(on)），这为高电压应用提供了优异的耐压能力和较低的导通损耗。
该器件在壳温条件下支持9A的连续漏极电流，最大功耗为50W。其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）为35nC，有助于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性，使其成为工业电源、电机驱动和照明系统等中高功率应用的理想选择。
基本参数：
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