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零件图片（仅供参考）
AOTF10N60_003
规格参数

AOTF10N60_003是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为750毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷最大值控制在40nC，有利于实现高效的开关性能并简化驱动设计。这些特性使其成为工业电源、电机控制等中高功率密度应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AOTF10N60_003
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：750 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF10N60_003
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF10N60_003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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