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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3160是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心卖点在于在微型封装内集成了高达600V的漏源电压（Vdss）耐受能力，同时具备极低的栅极电荷（最大1.5nC @ 10V）和输入电容（最大15pF @ 25V），这使其特别适合要求快速开关和低驱动损耗的高频应用。
该器件在10V驱动电压下提供最大500欧姆的导通电阻，连续漏极电流为40mA。其宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至10V）和高达±20V的栅源电压耐受能力，为电路设计提供了灵活性和可靠性。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性能。
制造商产品型号：AO3160制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：40mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 8A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：1.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.39W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3AO3160，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3160
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3160的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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