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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON4807是AOS推出的一款双P沟道功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，最大漏源电压为30V，连续漏极电流达4A，其低至68毫欧的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率。
作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压最大值为2.3V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了电路设计。优化的动态参数，如最大10nC的栅极电荷和290pF的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）保障了在各类环境下的可靠性，适用于空间受限的便携式设备中的负载开关、电源管理和电机驱动等应用。
基本参数：
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