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AON4807是AOS推出的一款双P沟道功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，最大漏源电压为30V，连续漏极电流达4A，其低至68毫欧的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率。

作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压最大值为2.3V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了电路设计。优化的动态参数，如最大10nC的栅极电荷和290pF的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）保障了在各类环境下的可靠性，适用于空间受限的便携式设备中的负载开关、电源管理和电机驱动等应用。

• 型号:AON4807
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x2）
• AON4807，AOS产品一站式供应商。