我们为全球各个行业提供AOS AO4812L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4812L是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装中。其核心优势在于极低的导通电阻（30mΩ @6A, 10V）与低栅极电荷（6.3nC @10V），这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能，有助于提升系统整体能效。

该器件额定值为30V漏源电压与6A连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于中低功率场景。其双通道集成设计为需要多路开关或对称驱动的应用（如同步整流、电机H桥）节省了PCB空间并简化了布局。请注意，该产品目前已停产。

• 型号:AO4812L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4812L，AOS产品一站式供应商。