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零件图片（仅供参考）
AOU1N60
规格参数

AOU1N60是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和1.3A的连续漏极电流(Id)，为小功率高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键电气参数表现出色：在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))低至9欧姆（@650mA），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为8nC，输入电容(Ciss)最大值为160pF，这些低栅极参数确保了快速的开关响应和较低的驱动需求，有利于提升开关电源的工作频率和整体效率。

  • 制造商产品型号：AOU1N60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 650mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：160pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
  • 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOU1N60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOU1N60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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