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AOU1N60是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心规格包括600V的漏源电压(Vdss)和1.3A的连续漏极电流(Id)，为小功率高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键电气参数表现出色：在10V驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))低至9欧姆（@650mA），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为8nC，输入电容(Ciss)最大值为160pF，这些低栅极参数确保了快速的开关响应和较低的驱动需求，有利于提升开关电源的工作频率和整体效率。

• 型号:AOU1N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 650mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251-3
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• AOU1N60，AOS产品一站式供应商。