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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF10N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F封装，专为高电压、高效率应用而设计。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧 @ 5A, 10V，有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动等系统整体能效的理想选择。
基本参数：
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