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AO4296是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，核心电气规格包括100V的漏源电压(Vdss)和13.5A的连续漏极电流(Id)，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流余量。

其技术优势体现在优异的导通特性与开关性能的平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))最大值仅为8.3毫欧，能有效降低传导损耗。同时，栅极总电荷(Qg)最大值被优化至60nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体电源系统的转换效率。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等应用的可靠选择。

• 型号:AO4296
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.3 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3130 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4296，AOS产品一站式供应商。