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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6604是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道互补型功率MOSFET阵列,采用节省空间的6-TSOP(SOT-457)表面贴装封装。该器件集成了一个N-MOSFET和一个P-MOSFET,构成一个完整的互补对,专为低电压、高频率开关应用而优化。
其核心优势在于极低的导通电阻(低至65毫欧@4.5V Vgs)和逻辑电平栅极驱动能力,可直接由4.5V或5V微控制器端口高效驱动,无需额外驱动电路。同时,其低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度,有效降低了开关损耗。凭借20V的漏源电压额定值、最高3.4A的连续电流能力以及-55°C至150°C的宽工作结温范围,AO6604为空间受限的便携式设备、电源管理和电机控制应用提供了可靠且高效的功率开关解决方案。

基本参数:
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