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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6524是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET,采用8-DFN封装,专为高效功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和20A Id条件下,Rds(On)最大值仅为5毫欧,这能显著降低导通损耗。同时,23nC(@10V)的最大栅极电荷确保了快速的开关性能,适合高频应用。
该器件额定电压为30V,在Tc=25°C时连续漏极电流高达68A,展现出强大的电流处理能力。其2.3V的阈值电压便于逻辑电平驱动,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,保证了在宽温环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和紧凑型DC-DC转换器等应用的理想选择。

基本参数:
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