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AOI2614是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，核心特性在于其60V的漏源电压（Vdss）以及优异的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达35A。

该器件的核心卖点在于其极低的导通损耗，其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为16毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至30nC（@10V），阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，这共同确保了高效、快速的开关性能，有助于降低系统整体功耗并提升功率密度。

其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达60W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业与消费电子应用环境，如电源转换、电机驱动和负载开关等场合。

• 型号:AOI2614
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A/35A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI2614，AOS产品一站式供应商。