AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI2614是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，核心特性在于其60V的漏源电压（Vdss）以及优异的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达35A。
该器件的核心卖点在于其极低的导通损耗，其在10V Vgs、20A Id条件下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为16毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至30nC（@10V），阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，这共同确保了高效、快速的开关性能，有助于降低系统整体功耗并提升功率密度。
其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达60W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业与消费电子应用环境，如电源转换、电机驱动和负载开关等场合。
基本参数：
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