AON6566P（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AON6566P是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用DFN封装，核心规格为30V漏源电压和27A连续漏极电流。其设计重点在于实现低导通损耗与高效的开关性能，以满足紧凑型、高效率电源解决方案的需求。

该器件通过优化的内部结构，在提供高电流处理能力的同时，保持了较低的导通电阻，有助于减少功率耗散。其表面贴装型封装具有良好的散热特性，适用于空间受限的应用。这些特性使其在同步整流、DC-DC转换等中低压功率管理场景中曾是一个可靠的选择。

制造商产品型号：AON6566P

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 30V 27A DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-DFN（5x6）

AON6566P，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AON6566P

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 27A DFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AON6566P的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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