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AON6566P是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用DFN封装，核心规格为30V漏源电压和27A连续漏极电流。其设计重点在于实现低导通损耗与高效的开关性能，以满足紧凑型、高效率电源解决方案的需求。

该器件通过优化的内部结构，在提供高电流处理能力的同时，保持了较低的导通电阻，有助于减少功率耗散。其表面贴装型封装具有良好的散热特性，适用于空间受限的应用。这些特性使其在同步整流、DC-DC转换等中低压功率管理场景中曾是一个可靠的选择。

• 型号:AON6566P
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A DFN
• 系列:*
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6566P，AOS产品一站式供应商。