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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4830是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列,采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的80V N沟道MOSFET,每个通道在25°C下可连续通过3.5A电流,其关键优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和3.5A Id条件下,Rds(on)最大值仅为75毫欧,能显著降低功率损耗。
此外,其栅极驱动特性经过优化,最大栅极电荷(Qg)低至13nC @ 10V,有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围,适用于要求高可靠性的工业环境。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和各类电源开关应用的紧凑高效解决方案。

基本参数:
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