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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD603A是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道互补的共漏极MOSFET阵列，采用TO-252-4L表面贴装封装。该器件集成了逻辑电平门极特性，其Vgs(th)最大值为3V，可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。
其电气参数表现均衡，具备60V的漏源电压（Vdss）和最高3.5A的连续漏极电流（Id）。关键性能指标突出，在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）低至60毫欧（@12A），栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能，适用于对效率和空间有要求的功率开关应用。
基本参数：
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