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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON4605_001是一款集成N沟道与P沟道MOSFET的功率开关阵列,采用8-DFN表面贴装封装。其核心优势在于逻辑电平门驱动(Vgs(th)最大2.5V),可直接由微控制器驱动,以及极低的导通电阻(50mΩ @ 10V, 4.3A),能显著降低导通损耗。
器件额定漏源电压为30V,连续漏极电流达4.3A(N沟道)/3.4A(P沟道),并具备低栅极电荷(5nC)和输入电容(210pF),支持快速开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,适用于对空间和效率有严苛要求的电源管理及功率切换应用。

基本参数:
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