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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4822AL是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门MOSFET，其栅极阈值电压最大为2.4V，可直接由标准微控制器逻辑电平驱动，简化了电路设计。
其核心电气特性包括30V的漏源电压、8A的连续漏极电流，以及在10V Vgs下仅19毫欧的最大导通电阻，确保了高效的功率传输和较低的导通损耗。此外，18nC的低栅极电荷有助于实现快速的开关速度，适用于高频开关应用。该器件工作温度范围宽广，适用于工业级环境下的电源管理、电机驱动及DC-DC转换等场景。
基本参数：
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