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AON1606_001是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用微型3-DFN（1.0x0.60mm）表面贴装封装。其核心电气特性包括20V的漏源电压（Vdss）和700mA的连续漏极电流（Id），为低压应用提供了可靠的功率处理基础。

该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。在4.5V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为275毫欧，有助于最小化导通压降与热损耗。同时，其低输入电容（Ciss）与优化的栅极电荷（Qg）确保了快速开关速度，非常适合用于高频开关电源电路，以提升整体系统效率。

• 制造商产品型号：AON1606_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 700MA 3DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：700mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：275 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：850nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：62.5pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：3-DFN（1.0 x 0.60）
• AON1606_001，AOS产品一站式供应商。