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零件图片（仅供参考）
AOTF3N80
规格参数

AOTF3N80 是AOS公司推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心优势在于高达800V的漏源电压额定值，为高压开关应用提供了可靠的电压保障。

该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值均较小，这共同实现了高效的开关性能，有助于降低开关损耗并提升系统效率。其设计支持2.8A的连续漏极电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在多种环境条件下的稳定性和耐用性。

  • 制造商产品型号：AOTF3N80
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：510pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF3N80
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF3N80的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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