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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6250是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，其核心优势在于优异的性能平衡。该器件额定漏源电压为150V，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至16.5毫欧（@20A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为43nC，这共同确保了低导通损耗与高效率的快速开关操作。
其电流处理能力突出，在壳温（Tc）25°C下连续漏极电流高达52A，最大结温可达150°C，功率耗散能力为104W（Tc），提供了强大的热性能与可靠性。这些特性使其成为高功率密度电源和电机控制等应用的理想解决方案。
基本参数：
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