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零件图片（仅供参考）
AO4419_003
规格参数

AO4419_003是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压(Vdss)和9.7A的连续漏极电流(Id)处理能力，适用于中低压、大电流的开关应用。

该器件的显著优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大值仅为20毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷(Qg)低至32nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在多种环境条件下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号：AO4419_003
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.7A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 9.7A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SO
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4419_003
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4419_003的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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