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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6202是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效能、高密度电源应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下仅5.5毫欧（@20A），能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。
器件支持30V的漏源电压，连续漏极电流在Tc条件下可达24A，并具备33nC的低栅极电荷，有利于实现高速开关并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与紧凑的封装形式，使其成为空间受限且对热性能有要求的DC-DC转换、同步整流及负载开关等应用的理想选择。
基本参数：
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