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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOU4N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251-3通孔封装。其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）与4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态参数。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现有助于降低导通损耗，而较低的栅极电荷则有利于实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而提升电源系统的整体效率。宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。
基本参数：
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